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日前,美光全球第一个宣布了232层堆叠的NAND闪存,全球首家突破200层,已经投入量产。
新闪存走的还是TLC,首次引入6个平面,存储密度创新高14.6Gb/mm2,2.4GB/s IO速度提升50%,读取带宽提升785%,写入带宽提升10%,封装面积减小28%,还首发支持NVLPDDR4内存。
编辑:张书嘉
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